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5パラレルの高速MOSFETを、カスコードブートストラップ接続した強力な出力段には、アイドル電流安定化回路と、温度感応式冷却システムを組み合わせ、 巨大なダイナミックレンジや、周囲の温度変化や電源変動に対して高い安定性を有しています。

左右独立の640VAのRコアトランスと193,800uFのコンデンサによる巨大容量電源には、 4機のトロイダルチョークコイルによる2段π型平滑回路を組み合わせ、大容量電源に不可避だった、巨大な充電電流による電源汚染を回避します。

全高調波歪率 0.0002%以下(1KHz/76W以下 / 0.0003%以下(20KHz/20W以下) S/N比(Aウェイト) 105.5dB(1W)、124.5dB(76W) ダンピングファクター 800 機能 ゲイン切り替え、ローパワーモード、温度&アイドル電流モニタ、チャンネルデバイダ


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